03/11/2003
RELIABILITY REPORT
FOR
DS1963S
Dallas Semiconductor
4401 South Beltwood Parkway
Dallas, TX 75244-3292
Prepared by:
Ken Wendel
Reliability Engineering Manager
Dallas Semiconductor
4401 South Beltwood Pkwy.
Dallas, TX 75244-3292
Email : ken.wendel@dalsemi.com
ph: 972-371-3726
fax: 972-371-6016
mbl: 214-435-6610
相关PDF资料
DS1971-F3+ IBUTTON EEPROM 256KBIT F3
DS1972-F3+ IBUTTON EEPROM 1KBit F3
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DS1982-F5+ IBUTTON 1KBit ADD-ONLY F5
DS1985-F3+ IBUTTON 16KBit ADD-ONLY F3
DS1990A-F3+ IC IBUTTON SERIAL NUMBER F3
DS1990R-F5# IBUTTON SERIAL NUMBER F5
相关代理商/技术参数
DS1965S-1-F3 功能描述:iButton RoHS:否 存储类型:SRAM 存储容量:512 B 组织: 工作电源电压:3 V to 5.25 V 接口类型:1-Wire 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封装 / 箱体:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated
DS1965S-1-F5 功能描述:iButton RoHS:否 存储类型:SRAM 存储容量:512 B 组织: 工作电源电压:3 V to 5.25 V 接口类型:1-Wire 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封装 / 箱体:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated
DS1965S-4-F3 功能描述:iButton RoHS:否 存储类型:SRAM 存储容量:512 B 组织: 工作电源电压:3 V to 5.25 V 接口类型:1-Wire 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封装 / 箱体:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated
DS1965S-4-F5 功能描述:iButton RoHS:否 存储类型:SRAM 存储容量:512 B 组织: 工作电源电压:3 V to 5.25 V 接口类型:1-Wire 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封装 / 箱体:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated
DS1965S-F5 功能描述:iButton RoHS:否 存储类型:SRAM 存储容量:512 B 组织: 工作电源电压:3 V to 5.25 V 接口类型:1-Wire 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封装 / 箱体:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated
DS196-K 制造商:Miyama Electric 功能描述:
DS196-R 制造商:Miyama Electric 功能描述:
DS1971 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256-Bit EEPROM iButton